LDMOS与VDMOS：新一代功率场效应晶体管技术 随着电子科技的发展，功率场效应晶体管技术也在不断进步。LDMOS和VDMOS是两种新一代功率场效应晶体管技术，它们具有高效、高可靠性和高功率等特点，被广泛应用于电力、通信和航空航天等领域。本文将详细介绍LDMOS和VDMOS的原理、特点和应用。 一、LDMOS的原理和特点 1. LDMOS的原理 LDMOS是“Lateral Double-diffused MOSFET”的缩写，即横向双扩散MOS场效应晶体管。它是一种侧向扩散的MOSFET，

随着现代电子技术的不断发展，高压功率半导体已成为众多领域中不可或缺的组成部分。而其中，VDMOS（Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）技术则成为了高压功率半导体的新宠。本文将从多个方面详细阐述VDMOS技术的优势和应用。 一、VDMOS技术的基本原理 VDMOS技术是一种基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的半导体器件。其基本原理是利用PN结的结构，使电流能够沿着垂直于芯片表面的方向流动。通过在PN结周围引入金属氧化